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米樂m6官網(wǎng)登錄入口:新能力 | 芯片電磁兼容測試能力

作者:米樂發(fā)布時(shí)間:2025-02-23

  隨著汽車電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化的快速發(fā)展,應(yīng)用在車上的芯片種類及數(shù)量越來越多,尤其是近年來車規(guī)芯片的國產(chǎn)化替代,使芯片電磁兼容成了汽車電磁兼容領(lǐng)域的全新問題。同時(shí),不斷增加的芯片算力需求,使芯片工作頻率越來越高、有限體積內(nèi)集成的晶體管數(shù)也越來越多,也使得新車型設(shè)計(jì)時(shí),不能再忽視芯片本身的電磁兼容問題。從可靠性角度,車規(guī)級芯片的電磁兼容要求遠(yuǎn)高于民用芯片,客觀評價(jià)芯片電磁兼容性是否滿足車規(guī)要求,是系統(tǒng)及整車可靠性的根基。

  為此,新能源檢驗(yàn)中心電磁兼容部近年來緊跟芯片電磁兼容測試技術(shù)發(fā)展,深度參與各項(xiàng)集成電路電磁兼容測試標(biāo)準(zhǔn)的制修訂工作,現(xiàn)已建立起完善的芯片電磁兼容測試能力,覆蓋TEM和寬帶TEM小室法、IC帶狀線法、1Ω/150Ω直接耦合法及射頻功率直接注入法等多種發(fā)射及抗擾測試方法,以上測試能力已于2022年12月獲得中國合格評定國家認(rèn)可委員會(CNAS)認(rèn)可。

  表1 測試能力一覽表米樂m6網(wǎng)址

  1Ω阻抗探頭(傳導(dǎo)發(fā)射-騷擾電流測量)

  150Ω耦合網(wǎng)絡(luò)(傳導(dǎo)發(fā)射-騷擾電壓測量)

  DPI注入探頭(傳導(dǎo)抗擾度測試)

  脈沖注入探頭(脈沖抗擾度測試)

  GTEM小室(輻射發(fā)射及輻射抗擾度測試)

  帶狀線(輻射發(fā)射及輻射抗擾度測試)

  車規(guī)芯片電磁兼容測試,將從芯片角度,對其電磁兼容進(jìn)行測試評價(jià),進(jìn)而從源頭提高部件或整車的電磁兼容性能。該測試不僅可以規(guī)范芯片的電磁兼容測試方法,為芯片企業(yè)提供必要的測試規(guī)范,還可以指導(dǎo)用戶選用合格的芯片產(chǎn)品。

  未來,新能源檢驗(yàn)中心電磁兼容部將持續(xù)深挖芯片電磁兼容測試方式方法,繼續(xù)完善芯片電磁兼容測試能力,支撐我國車規(guī)芯片標(biāo)準(zhǔn)化工作的同時(shí),為主機(jī)廠、零部件企業(yè)及芯片廠商提供更好的服務(wù)。

  歡迎垂詢,合作共研,共同推動我國車規(guī)芯片快速、高質(zhì)量發(fā)展。

新能力 | 芯片電磁兼容測試能力

  項(xiàng)目聯(lián)系人

  張潔 18522075247

  zhangjie2020@catarc.ac.cn

  張玉潔 18602686004

  zhangyujie@catarc.ac.cn

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